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2019年5月24日迎来了华虹无锡项目举行了首台工艺设备搬入仪式。

华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期项目总投资约25亿美元，新建一条工艺等级90-65/55纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。

华虹半导体（无锡）有限公司副总裁、华虹七厂厂长倪立华此前曾表示，华虹进入无锡后，无锡的通用半导体制造技术将从8英寸时代进入到12英寸时代，工艺技术能力将提升至55纳米节点，而之前为0.13微米。

2017年8月，华虹半导体与无锡市政府及大基金签订了一份投资协议，三方将在无锡投资建设一座12英寸晶圆厂。据介绍，大基金向华虹注资9.22亿美元，其中4亿美元投给华虹半导体，持股18.94%；5.22亿美元投给华虹无锡，持股29%。

2018年3月2日华虹无锡集成电路研发和制造基地项目举行开工典礼举行；4月3日，一期桩基工程启动；7月21日，F1厂房首件钢柱完成吊装；8月12日，生产厂房首根桁架吊装完成，项目进入施工新阶段；12月21日实现主厂房结构封顶。实现当年开工，当年主厂房结构封顶。

项目计划2019年下半年完成净化厂房建设和动力机电设备安装通线并逐步实现达产。